正向压降温度特性试验仪 型号:mhy-24910
半导体产业已经成为基础产业，而现有的物理实验中涉及半导体物理的比较少。我们从物理实验的需求出发，以基本的pn结半导体器件，开设了一个半导体物理实验，根据pn结的正向压降与其正向电流、温度的关系，研究pn结的伏安特性，测量波尔兹曼常数，估测半导体材料的禁带宽度，从而很好地学习和掌握一些重要的半导体物理知识。
仪器精心设计，不但思路，而且性能稳定，测量精度好，适用于大专院校普通物理实验和有关的半导体物理实验。
可开设的实验
1、测量同一温度下，正向电压随正向电流的变化关系，绘制伏安特性曲线；
2、在同一恒定正向电流条件下，测绘pn结正向压降随温度的变化曲线，计算灵敏度，估算被测pn结材料的禁带宽度；
3、学习用execl进行指数函数的曲线回归的方法，并计算出玻尔兹曼常数；
4、探究：用给定的pn结测量未知温度。
主要技术特点
1、开放式设计，提供多个通用式的温度插孔，可方便地插入被测传感器。pn结传感器可以随时取出，不但可以实验，也可以用于实际温度测量。除pn结传感器外，用户可根据自有条件，用来测量热敏电阻、铜电阻、热电偶、 ad590和lm35等温度传感器，具有很好的拓展性。
2、更地测量玻尔兹曼常数。没有采取常规的加正向压降测正向微电流的方法，而是特别设计了一个能稳定输出1na～1ma范围的精密微电流源，解决了测量微电流跳字、不稳定的问题，能准确地测量正向压降。
3、在常温下就能估测出零度时硅材料的禁带宽度，而不需要在冰水混合物中测量，不但简化了测量方法和过程，而且避免了由于冰水混合物温度失准带来的误差。